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Transistor De Potencia Mosfet Canal P 50 Volt 18 Amp 014 Ohm 74 Watt To220Ab Para Analizador Iii IRF9Z30.

Modelo: IRF9Z30 Clave: 19562


$305.00 MXN

$195.00 Pesos

Precios sujetos a cambios sin previo aviso

Cantidad:
  • Disponibles: (5) pzs.



Almacén México
Disponibles: (5) pzs.

TESTIMONIOS


DIANA ORTIZ ()

Solo falta más organización en las entregas

hace 5 días 17:43:31 PM



MARISOL ARENAS O (ACERTA COMPUTACION APLICADA)

Mi pedido se retrasó un poco pero siempre tuve la atención de proveedor informándome los avances de mi pedido y no tardo en entregarme, excelente atención.

hace 6 días 11:17:17 AM



OSCAR GARCIA (INDUSTRIAL HOME COMERCIALIZADORA Y DISTRIBUIDORA)

Lo recomiendo ampliamente, proveedores con una amplia gama de productos pocos como ellos gracias.

hace 1 semana 11:54:12 AM



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Descripción del Producto


  1.  

         Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

        

    FET Type
    P-Channel
    Technology
    MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    50 V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs
    140mOhm @ 9.3A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    39 nC @ 10 V
    Vgs (Max)
    ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    900 pF @ 25 V
    FET Feature
    -
    Power Dissipation (Max)
    74W (Tc)
    Operating Temperature
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type
    Through Hole
    Supplier Device Package
    TO-220AB
    Package / Case
    TO-220-3
    Base Product Number

 

     Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

    

FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
74W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number



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