Silicon RF Power MOSFET Power Transistor 175 MHz 530 MHz 70W B2-224
Modelo: B2-224 Clave: 69355
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TESTIMONIOS
DIANA ORTIZ ()
Solo falta más organización en las entregas
MARISOL ARENAS O (ACERTA COMPUTACION APLICADA)
Mi pedido se retrasó un poco pero siempre tuve la atención de proveedor informándome los avances de mi pedido y no tardo en entregarme, excelente atención.
OSCAR GARCIA (INDUSTRIAL HOME COMERCIALIZADORA Y DISTRIBUIDORA)
Lo recomiendo ampliamente, proveedores con una amplia gama de productos pocos como ellos gracias.
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Descripción del Producto
DESCRIPTION
RD70HUF2 is MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF power amplifiers applications.
FEATURES
1. Supply with Tape and Reel. 500 Units per Reel 2. Employing Mold Package
3. High Power and High Efficiency
Pout=75Wtyp, Drain Effi.=64%typ
@ Vds=12.5V Idq=1.0A Pin=5.5W f=530MHz
Pout=84Wtyp, Drain Effi.=74%typ
@ Vds=12.5V Idq=1.0A Pin=4.0W f=175MHz
4. Integrated gate protection diode
APPLICATION
For output stage of high power amplifiers in VHF/UHF band mobile radio sets.
RoHS COMPLIANT
RD70HUF2 is a RoHS compliant product. RoHS compliance is indicating by the letter “G” after the Lot Marking. This product includes the lead in high melting temperature type solders.
However, it is applicable to the following exceptions of RoHS Directions.
1. Lead in high melting temperature type solders. (i.e. tin-lead solder alloys containing more than85% lead.)
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